Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
2

Knee osteoarthritis: a review of management options

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 690 KB
english, 2016
3

Fundamentals of Power Semiconductor Devices || Introduction

Рік:
2019
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.64 MB
english, 2019
9

Gallium nitride devices for power electronic applications

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 919 KB
english, 2013
11

Advanced Power MOSFET Concepts ||

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 33.25 MB
english, 2010
12

Influence of the trench corner design on edge termination of UMOS power devices

Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 744 KB
english, 1997
15

A CONTROL VOLUME FINITE-ELEMENT METHOD FOR TWO-DIMENSIONAL FLUID FLOW AND HEAT TRANSFER

Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 623 KB
english, 1983
16

Advanced High Voltage Power Device Concepts ||

Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 27.38 MB
english, 2012
17

A simple edge termination for silicon carbide devices with nearly ideal breakdown voltage

Рік:
1994
Мова:
english
Файл:
PDF, 202 KB
english, 1994
19

Polarization and Ambiguity

Рік:
2013
Мова:
english
Файл:
PDF, 500 KB
english, 2013
20

Multinational Corporations: Control Systems and Delegation Issues

Рік:
1984
Мова:
english
Файл:
PDF, 6.30 MB
english, 1984
21

Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices || FRONT MATTER

Рік:
2017
Мова:
english
Файл:
PDF, 713 KB
english, 2017
25

Analytical solutions for the breakdown voltage of abrupt cylindrical and spherical junctions

Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 345 KB
english, 1976
26

Lifetime control by palladium diffusion in silicon

Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 324 KB
english, 1978
28

Five-kilowatt wood gasifier technology: Evolution and field experience

Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.80 MB
english, 1989
29

Planar edge termination for 4H-silicon carbide devices

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
english, 1996
30

SiC device edge termination using finite area argon implantation

Рік:
1997
Мова:
english
Файл:
PDF, 100 KB
english, 1997
31

The future of power semiconductor device technology

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 314 KB
english, 2001
33

Triphala , Ayurvedic Formulation for Treating and Preventing Cancer: A Review

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 301 KB
english, 2010
36

Review article: Diabetes mellitus and heart failure -- an overview of epidemiology and management

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 168 KB
english, 2009
37

Area-Efficient Bevel-Edge Termination Techniques for SiC High-Voltage Devices

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.69 MB
english, 2016
38

1.2 kV 4H-SiC Split-Gate Power MOSFET: Analysis and Experimental Results

Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.10 MB
english, 2018
40

1.2 kV SiC Trench-Gate MOSFETs with Dual Shielding Regions

Рік:
2019
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.99 MB
english, 2019
42

CEO DUALITY AND FIRM PERFORMANCE: WHAT'S THE FUSS?

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.17 MB
english, 1996
43

An overview of the role of iron in T cell activation

Рік:
2003
Мова:
english
Файл:
PDF, 80 KB
english, 2003
46

Analytical model for the threshold voltage of Accumulation Channel MOS-Gate devices

Рік:
1998
Мова:
english
Файл:
PDF, 297 KB
english, 1998
47

Temperature dependence of hole impact ionization coefficients in 4H and 6H-SiC

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 975 KB
english, 1999
48

The graded doped trench MOS Barrier Schottky rectifier: a low forward drop high voltage rectifier

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 501 KB
english, 1999
49

The evolution of power device technology

Рік:
1984
Мова:
english
Файл:
PDF, 3.21 MB
english, 1984
50

High-voltage device termination techniques a comparative review

Рік:
1982
Мова:
english
Файл:
PDF, 912 KB
english, 1982